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  • GlobalFoundries、NXP合作40纳米eNVM技术
    晶圆代工厂GlobalFoundries和恩智浦(NXP)共同开发下一代嵌入式非挥发性存储器eNVM技术，以GlobalFoundries的12吋晶圆厂为基地，低功耗40纳米制程为基础，预计在2016年于新加坡的晶圆厂进行量产。
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  • 力旺电子与中芯国际联手布局技术发展
    嵌入式非挥发性内存领导厂商力旺电子，与中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工365bet买球游戏中芯国际，共同宣布，已联手扩大在非挥发性内存技术上的发展布局，合作制程涵盖0.35微米至40纳米等，横跨 NeoBit、NeoFuse、NeoEE 与 NeoMTP 等单次与多次可程序嵌入式非挥发性内存技术 (eNVM)。
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